異(yi)質(zhi)結(jie)硅(gui)(gui)太(tai)(tai)陽能(neng)電池的(de)(de)(de)工藝要求與(yu)同質(zhi)結(jie)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體硅(gui)(gui)太(tai)(tai)陽能(neng)電池相比(bi)，有幾個(ge)優點(dian)：與(yu)同質(zhi)結(jie)形成相比(bi)，異(yi)質(zhi)結(jie)形成期間的(de)(de)(de)熱預算(suan)減少。a-Si:H層(ceng)和(he)TCO前接(jie)觸的(de)(de)(de)沉積(ji)溫度(du)通常低于250℃。與(yu)傳統的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體硅(gui)(gui)太(tai)(tai)陽能(neng)電池相比(bi)，異(yi)質(zhi)結(jie)的(de)(de)(de)形成和(he)沉積(ji)接(jie)觸層(ceng)所需的(de)(de)(de)時(shi)間也更短。由于異(yi)質(zhi)結(jie)硅(gui)(gui)太(tai)(tai)陽能(neng)電池的(de)(de)(de)低加(jia)工溫度(du)及其對(dui)稱結(jie)構，晶(jing)(jing)(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)彎(wan)曲(qu)被(bei)抑制。外(wai)延生(sheng)(sheng)長(chang)(chang)：在晶(jing)(jing)(jing)(jing)體硅(gui)(gui)和(he)a-Si:H鈍化(hua)層(ceng)之(zhi)間沒有尖銳的(de)(de)(de)界(jie)面(mian)，而(er)(er)外(wai)延生(sheng)(sheng)長(chang)(chang)的(de)(de)(de)結(jie)果(guo)是(shi)(shi)(shi)混合(he)相的(de)(de)(de)界(jie)面(mian)區(qu)域，界(jie)面(mian)缺陷態(tai)的(de)(de)(de)密(mi)度(du)增(zeng)加(jia)。在a-Si:H的(de)(de)(de)沉積(ji)過(guo)程中(zhong)，外(wai)延生(sheng)(sheng)長(chang)(chang)導(dao)致(zhi)異(yi)質(zhi)結(jie)太(tai)(tai)陽能(neng)電池的(de)(de)(de)性(xing)能(neng)惡化(hua)，特別(bie)是(shi)(shi)(shi)影響了Voc。事實證明，在a-Si:H的(de)(de)(de)沉積(ji)過(guo)程中(zhong)，高(gao)沉積(ji)溫度(du)（>140℃）會導(dao)致(zhi)外(wai)延生(sheng)(sheng)長(chang)(chang)。其他沉積(ji)條件，如(ru)功率和(he)襯底表(biao)面(mian)的(de)(de)(de)性(xing)質(zhi)，也對(dui)外(wai)延生(sheng)(sheng)長(chang)(chang)有影響，通過(guo)使用a-SiO:H合(he)金而(er)(er)不是(shi)(shi)(shi)a-Si:H，可以(yi)有效抑制外(wai)延生(sheng)(sheng)長(chang)(chang)。HJT的(de)(de)(de)清(qing)洗特點(dian):在制絨和(he)清(qing)洗之(zhi)后的(de)(de)(de)圓(yuan)(yuan)滑處理導(dao)致(zhi)了表(biao)面(mian)均(jun)勻(yun)性(xing)的(de)(de)(de)改善，減少了微觀(guan)粗(cu)糙度(du)，并提(ti)高(gao)了整個(ge)裝置的(de)(de)(de)性(xing)能(neng)。此外(wai)，氫氣后處理被(bei)發(fa)現有利于提(ti)高(gao)a-Si:H薄膜的(de)(de)(de)質(zhi)量(liang)和(he)表(biao)面(mian)鈍化(hua)。CVD對(dui)比(bi)：HWCVD比(bi)PECVD有幾個(ge)優點(dian)。例如(ru)，硅(gui)(gui)烷的(de)(de)(de)熱解避免(mian)了表(biao)面(mian)的(de)(de)(de)離子轟(hong)擊，而(er)(er)且產生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)原子氫可以(yi)使表(biao)面(mian)鈍化(hua)。光伏異(yi)質(zhi)結(jie)是(shi)(shi)(shi)一種綠色能(neng)源技術，生(sheng)(sheng)產過(guo)程中(zhong)不產生(sheng)(sheng)污染物，符合(he)可持(chi)續發(fa)展的(de)(de)(de)要求。成都單晶(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)異(yi)質(zhi)結(jie)PECVD

釜川自主(zhu)研(yan)發的“零界”高效異(yi)質(zhi)結電(dian)(dian)池(chi)整(zheng)線制(zhi)造解(jie)(jie)決(jue)方案已實現設(she)備(bei)(bei)(bei)國產(chan)(chan)化，該解(jie)(jie)決(jue)方案疊(die)加了(le)雙(shuang)面(mian)微晶、無銀或低銀金屬化工藝，提(ti)升了(le)太陽(yang)能(neng)電(dian)(dian)池(chi)的轉換效率(lv)、良率(lv)和產(chan)(chan)能(neng)，并極大降(jiang)低了(le)生(sheng)產(chan)(chan)成本。釜川以半導體(ti)生(sheng)產(chan)(chan)設(she)備(bei)(bei)(bei)、太陽(yang)能(neng)電(dian)(dian)池(chi)生(sheng)產(chan)(chan)設(she)備(bei)(bei)(bei)為主(zhu)要產(chan)(chan)品，打造光(guang)伏設(she)備(bei)(bei)(bei)一(yi)體(ti)化服(fu)務。擁有強大的科研(yan)團隊(dui)，憑借技術(shu)競(jing)爭力，在清洗(xi)制(zhi)絨設(she)備(bei)(bei)(bei)、PECVD設(she)備(bei)(bei)(bei)、PVD設(she)備(bei)(bei)(bei)、電(dian)(dian)鍍(du)銅設(she)備(bei)(bei)(bei)等方面(mian)的有獨(du)特優勢；以高效加工制(zhi)造、快(kuai)速終端交付的能(neng)力，為客戶提(ti)供優質(zhi)的整(zheng)線工藝設(she)備(bei)(bei)(bei)的交付服(fu)務。深(shen)圳(zhen)釜川異(yi)質(zhi)結設(she)備(bei)(bei)(bei)哪家好異(yi)質(zhi)結電(dian)(dian)池(chi)的出(chu)色性能(neng)和廣泛的應用前景使(shi)其成為未來太陽(yang)能(neng)產(chan)(chan)業的明(ming)星技術(shu)。

太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)異質結(jie)(jie)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)界(jie)面(mian)(mian)(mian)結(jie)(jie)構(gou)(gou)對(dui)性能(neng)(neng)(neng)(neng)有(you)很大(da)的(de)(de)(de)(de)(de)影響。界(jie)面(mian)(mian)(mian)結(jie)(jie)構(gou)(gou)是(shi)指兩種(zhong)不同(tong)材料之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)交界(jie)面(mian)(mian)(mian)，它決定了電(dian)(dian)子和(he)(he)(he)空穴的(de)(de)(de)(de)(de)傳(chuan)輸和(he)(he)(he)復(fu)合(he)情況(kuang)，從(cong)(cong)而(er)(er)(er)影響了太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)效(xiao)率(lv)。首先，界(jie)面(mian)(mian)(mian)結(jie)(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)(neng)帶對(dui)齊情況(kuang)會影響電(dian)(dian)子和(he)(he)(he)空穴的(de)(de)(de)(de)(de)傳(chuan)輸。如果能(neng)(neng)(neng)(neng)帶對(dui)齊良(liang)好，電(dian)(dian)子和(he)(he)(he)空穴可以(yi)自由地在(zai)兩種(zhong)材料之間(jian)傳(chuan)輸，從(cong)(cong)而(er)(er)(er)提(ti)高了電(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)效(xiao)率(lv)。反(fan)之，如果能(neng)(neng)(neng)(neng)帶對(dui)齊不良(liang)，電(dian)(dian)子和(he)(he)(he)空穴會被阻擋在(zai)界(jie)面(mian)(mian)(mian)處(chu)，從(cong)(cong)而(er)(er)(er)降低了電(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)效(xiao)率(lv)。其次，界(jie)面(mian)(mian)(mian)結(jie)(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)(de)(de)(de)缺(que)陷(xian)(xian)和(he)(he)(he)雜質會影響電(dian)(dian)子和(he)(he)(he)空穴的(de)(de)(de)(de)(de)復(fu)合(he)情況(kuang)。如果界(jie)面(mian)(mian)(mian)處(chu)存在(zai)缺(que)陷(xian)(xian)和(he)(he)(he)雜質，它們會成(cheng)為電(dian)(dian)子和(he)(he)(he)空穴復(fu)合(he)的(de)(de)(de)(de)(de)中(zhong)心(xin)，從(cong)(cong)而(er)(er)(er)降低了電(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)效(xiao)率(lv)。因此，優化界(jie)面(mian)(mian)(mian)結(jie)(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)(de)(de)(de)缺(que)陷(xian)(xian)和(he)(he)(he)雜質是(shi)提(ti)高太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)效(xiao)率(lv)的(de)(de)(de)(de)(de)重(zhong)要(yao)(yao)手段(duan)。綜上所述，太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)異質結(jie)(jie)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)界(jie)面(mian)(mian)(mian)結(jie)(jie)構(gou)(gou)對(dui)電(dian)(dian)池(chi)性能(neng)(neng)(neng)(neng)有(you)著重(zhong)要(yao)(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)影響。優化界(jie)面(mian)(mian)(mian)結(jie)(jie)構(gou)(gou)可以(yi)提(ti)高電(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)效(xiao)率(lv)，從(cong)(cong)而(er)(er)(er)推(tui)動太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)發展。

異質(zhi)結(jie)(jie)是(shi)由不(bu)同(tong)(tong)(tong)材(cai)(cai)(cai)料(liao)組(zu)(zu)成(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)構(gou)，其中(zhong)(zhong)至少(shao)有(you)(you)(you)一種材(cai)(cai)(cai)料(liao)是(shi)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)(cai)料(liao)。根據(ju)不(bu)同(tong)(tong)(tong)的(de)(de)(de)(de)材(cai)(cai)(cai)料(liao)組(zu)(zu)合方式和結(jie)(jie)構(gou)特(te)點(dian)，異質(zhi)結(jie)(jie)可以(yi)(yi)分為以(yi)(yi)下(xia)幾種主要(yao)類型(xing)：結(jie)(jie)：由p型(xing)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)和n型(xing)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)組(zu)(zu)成(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)構(gou)，是(shi)常見的(de)(de)(de)(de)異質(zhi)結(jie)(jie)。在pn結(jie)(jie)中(zhong)(zhong)，p型(xing)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)和n型(xing)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)電子(zi)(zi)(zi)濃度(du)和空(kong)穴(xue)(xue)濃度(du)不(bu)同(tong)(tong)(tong)，形成(cheng)(cheng)(cheng)了電場，使得pn結(jie)(jie)具(ju)有(you)(you)(you)整流、光(guang)電轉(zhuan)換等特(te)性。2.Schottky結(jie)(jie)：由金屬(shu)和半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)組(zu)(zu)成(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)構(gou)，金屬(shu)為n型(xing)或(huo)p型(xing)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)提供電子(zi)(zi)(zi)或(huo)空(kong)穴(xue)(xue)，形成(cheng)(cheng)(cheng)勢壘，使得電子(zi)(zi)(zi)或(huo)空(kong)穴(xue)(xue)在兩種材(cai)(cai)(cai)料(liao)之(zhi)間(jian)流動。Schottky結(jie)(jie)具(ju)有(you)(you)(you)快速(su)開(kai)關、高(gao)頻特(te)性等優點(dian)。3.量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)阱結(jie)(jie)：由兩種不(bu)同(tong)(tong)(tong)帶隙(xi)能量(liang)(liang)的(de)(de)(de)(de)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)(cai)料(liao)組(zu)(zu)成(cheng)(cheng)(cheng)，中(zhong)(zhong)間(jian)夾著(zhu)一層非常薄(bo)的(de)(de)(de)(de)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)(cai)料(liao)，形成(cheng)(cheng)(cheng)能量(liang)(liang)勢阱。量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)阱結(jie)(jie)具(ju)有(you)(you)(you)量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)效(xiao)應(ying)，可以(yi)(yi)用(yong)于制造激(ji)光(guang)器(qi)、太陽能電池等器(qi)件。4.量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點(dian)結(jie)(jie)：由非常小的(de)(de)(de)(de)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)顆粒(li)組(zu)(zu)成(cheng)(cheng)(cheng)，大(da)小通常在1-10納米之(zhi)間(jian)。量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點(dian)結(jie)(jie)具(ju)有(you)(you)(you)量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)效(xiao)應(ying)，可以(yi)(yi)用(yong)于制造高(gao)效(xiao)的(de)(de)(de)(de)光(guang)電轉(zhuan)換器(qi)件。5.懸(xuan)(xuan)掛門結(jie)(jie)：由兩個不(bu)同(tong)(tong)(tong)材(cai)(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)組(zu)(zu)成(cheng)(cheng)(cheng)，其中(zhong)(zhong)一個半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)(cai)料(liao)被刻蝕成(cheng)(cheng)(cheng)一個非常薄(bo)的(de)(de)(de)(de)層，形成(cheng)(cheng)(cheng)一個懸(xuan)(xuan)掛的(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)構(gou)。懸(xuan)(xuan)掛門結(jie)(jie)具(ju)有(you)(you)(you)高(gao)靈敏度(du)、低功(gong)耗等特(te)點(dian)，可以(yi)(yi)用(yong)于制造傳(chuan)感(gan)器(qi)、存儲器(qi)等器(qi)件。光(guang)伏異質(zhi)結(jie)(jie)可以(yi)(yi)應(ying)用(yong)在各(ge)種表面(mian)上，如玻璃、塑(su)料(liao)等，具(ju)有(you)(you)(you)廣泛的(de)(de)(de)(de)應(ying)用(yong)前景。

光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效率(lv)(lv)受到多種因(yin)素的(de)(de)(de)(de)(de)(de)影(ying)響(xiang)(xiang)，其(qi)(qi)中(zhong)主要(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)因(yin)素包括以(yi)下幾點：1.材(cai)料的(de)(de)(de)(de)(de)(de)選擇：光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)材(cai)料種類(lei)和(he)質(zhi)量對光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效率(lv)(lv)有(you)著(zhu)至關重要(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)影(ying)響(xiang)(xiang)。通(tong)常情況下，選擇具有(you)較高(gao)(gao)吸收系數和(he)較低缺陷密度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)材(cai)料可(ke)以(yi)提高(gao)(gao)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效率(lv)(lv)。2.光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)照(zhao)強(qiang)度(du)(du)：光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)照(zhao)強(qiang)度(du)(du)越高(gao)(gao)，其(qi)(qi)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效率(lv)(lv)也會(hui)(hui)越高(gao)(gao)。因(yin)此，在實際(ji)應用中(zhong)，需要(yao)根據(ju)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)(de)使用環(huan)境和(he)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)照(zhao)條(tiao)件(jian)進行合理的(de)(de)(de)(de)(de)(de)設(she)計和(he)安裝(zhuang)。3.溫(wen)度(du)(du)：溫(wen)度(du)(du)對光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效率(lv)(lv)也有(you)著(zhu)顯著(zhu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)影(ying)響(xiang)(xiang)。一般來說，光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)(de)溫(wen)度(du)(du)越低，其(qi)(qi)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效率(lv)(lv)也會(hui)(hui)越高(gao)(gao)。4.結(jie)構(gou)設(she)計：光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)構(gou)設(she)計也會(hui)(hui)對其(qi)(qi)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效率(lv)(lv)產生影(ying)響(xiang)(xiang)。例如(ru)，通(tong)過(guo)優化(hua)電(dian)(dian)(dian)(dian)極結(jie)構(gou)和(he)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)等參數，可(ke)以(yi)提高(gao)(gao)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效率(lv)(lv)。5.光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)(de)制備(bei)(bei)工藝(yi)：光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)(de)制備(bei)(bei)工藝(yi)也會(hui)(hui)對其(qi)(qi)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效率(lv)(lv)產生影(ying)響(xiang)(xiang)。例如(ru)，采用高(gao)(gao)質(zhi)量的(de)(de)(de)(de)(de)(de)制備(bei)(bei)工藝(yi)可(ke)以(yi)減(jian)少雜質(zhi)和(he)缺陷的(de)(de)(de)(de)(de)(de)存在，從而提高(gao)(gao)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效率(lv)(lv)。光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)技術的(de)(de)(de)(de)(de)(de)不斷創新，推動了太陽能產業的(de)(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)展和(he)普及。深圳釜川異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)設(she)備(bei)(bei)哪家好(hao)

異質(zhi)結電(dian)(dian)池(chi)以其出色(se)的發(fa)電(dian)(dian)性(xing)能、技術(shu)延展性(xing)和低碳(tan)制(zhi)造過程(cheng)，脫(tuo)穎而出成(cheng)為主流技術(shu)之一(yi)。成(cheng)都單晶硅異質(zhi)結PECVD

太陽能異質(zhi)結電(dian)池(chi)工(gong)藝 1.清洗制絨。通(tong)過(guo)(guo)腐蝕去除表面(mian)(mian)(mian)損傷層(ceng)(ceng)，并且在表面(mian)(mian)(mian)進行(xing)制絨，以形成(cheng)絨面(mian)(mian)(mian)結構達到陷光效果(guo)，減(jian)少反射損失；2.正(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)面(mian)(mian)(mian)/背(bei)面(mian)(mian)(mian)非晶(jing)硅薄(bo)膜沉積。通(tong)過(guo)(guo)CVD方式(shi)在正(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)面(mian)(mian)(mian)/背(bei)面(mian)(mian)(mian)分(fen)別沉積5~10nm的本征a-Si:H，作(zuo)為鈍化層(ceng)(ceng)，然(ran)后再(zai)沉積摻雜層(ceng)(ceng)；3.正(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)面(mian)(mian)(mian)/背(bei)面(mian)(mian)(mian)TCO沉積。通(tong)過(guo)(guo)PVD在鈍化層(ceng)(ceng)上面(mian)(mian)(mian)進行(xing)TCO薄(bo)膜沉積；4.柵線(xian)電(dian)極。通(tong)過(guo)(guo)絲網(wang)印刷進行(xing)柵線(xian)電(dian)極制作(zuo)；5.烘烤(退火)。通(tong)過(guo)(guo)絲網(wang)印刷進行(xing)正(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)面(mian)(mian)(mian)柵線(xian)電(dian)極制作(zuo)，然(ran)后通(tong)過(guo)(guo)低溫(wen)燒結形成(cheng)良好的接(jie)觸(chu)；6.光注入。7.電(dian)池(chi)測試(shi)及(ji)分(fen)選。成(cheng)都單晶(jing)硅異質(zhi)結PECVD

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